26.5 GHz InP宽带梳谱单片

作者:张有涛; 程伟; 赵莹莹
来源:固体电子学研究与进展, 2021, 41(06): 491.
DOI:10.19623/j.cnki.rpsse.2021.06.013

摘要

<正>基于101.6mm(4英寸)0.7μm Inp DHBT工艺,南京电子器件研究所首次研制出26.5 GHz宽带梳谱单片集成电路。与常规雪崩二极管及非线性传输线方案不同,芯片采用有源电路实现,具有对外部输入功率不敏感、输出频谱高平坦度、低相噪等特点,芯片面积约为1.00mm×0.75mm。图1为芯片照片,图2和图3分别为芯片在输入100MHz信号下的频域及时域测试结果。Inp有源梳谱单片可输出脉冲宽度为21ps的极窄脉冲,幅度为500Vpp,在26.5Ghz带宽内的输出平坦度小于12dBc,显示了梳谱单片的性能优势,

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