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摘要
利用化学沉积法和射频溅射法实现了CdS量子点/CdTe纳米棒复合光电极的制备。通过X射线粉末衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、紫外-可见吸收光谱(UV-vis)和电化学工作站分别对获得的光电极进行了结构、形貌和光电性能的表征。结果表明,所获得的光电极由CdS量子点和CdTe一维纳米棒组成,其中CdTe纳米棒沿着(111)择优方向定向生长。在不同CdS量子点厚度的光电极的电化学表征中,发现了由CdS的压电效应引起的新颖的热释电现象,并在25次循环CdS量子点的光电极测试中获得了最好的结果,开路电压为0.49 V,短路电流为71.09μA,其I-t曲线的开关比为6。另外,还发现了热释电引起的电流反向现象,这一特性对于未来提高光电器件的性能具有重要的意义。
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