基于FET结构的MoS2器件的研究进展

作者：潘苏敏; 黄玲琴^*; 陶化文

来源：微纳电子技术, 2022, 59(03): 210-217.

DOI：10.13250/j.cnki.wndz.2022.03.002

• 二硫化钼(MoS2)
• 场效应晶体管(FET)
• 光电器件
• 传感器
• 二维层状半导体

对带隙可调的二维层状半导体二硫化钼(MoS2)的材料特性以及基于MoS2薄膜的器件性能和应用进行了简单阐述，重点分析了多种MoS2场效应晶体管(FET)的结构特点，并对MoS2FET的制备工艺、电学性能(载流子迁移率、电流开关比、亚阈值摆幅等)以及栅极介质层材料对器件性能的影响等进行了综述。在此基础上进一步总结了近年来国内外基于FET结构的MoS2光电器件及传感器的研究进展，分别对其结构、光响应度以及灵敏度等性能进行了分析讨论。最后，对MoS2薄膜制备以及基于FET结构的MoS2电子器件、光电器件和传感器未来的发展方向进行了展望。

• 单位
  江苏师范大学; 自动化学院