摘要

将原料Ti粉和B粉(晶体硼)按摩尔比1∶2进行混料,在特定压力性进行材料装填预压,并在样品两端加恒定电压20V,在自蔓延反应温度下完成热压辅助闪烧工艺。制备出导电性良好、致密性良好的TiB2材料。通过材料表征,分析认为在自蔓延辅助闪烧(FS)热压过程实现晶粒重排,晶体的塑性变形与细小颗粒尺寸及致密化优化,该方法为制备功能陶瓷材料提供新的思路。