本发明公开了一种相变材料纳米线及其制备方法,其制备方法包括：在绝缘纳米线的外表面负载一层相变材料,可选择在相变材料外表面再负载一层保护层,形成相变材料的限制型结构。本发明采用物理法制备相变材料纳米线,避免了化学制备法带来的各种污染,制备出的相变材料纳米线干净可靠。采用本发明制备相变材料纳米线的直径灵活可控,方法简单易实现,可用于自下而上组装相变存储器,以及相变存储器的微缩制作等。
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