本发明涉及一种化合物半导体与碳纳米管单片集成器件的结构及制备方法,结构包括：衬底层、成核层、缓冲层、沟道层、势垒层、电学隔离层、设置在势垒层上的碳纳米管器件、间隔设置在势垒层上的第一源极和第一漏极、设置在第一源极、第一漏极和位于电学隔离层的另一侧的势垒层上的钝化层、设置在钝化层的栅极槽内和部分钝化层上的第一栅极。本发明制备了具有较高开关速度的N沟道器件与P沟道器件,并且相比于传统的在PCB板上分立封装的结构大大节约了cmos电路芯片的面积,同时提高了电路处理数字信号的性能。
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