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摘要
真空烧结工艺对原材料的浸润性要求很高，当原材料浸润性较差时会出现烧结空洞率高等问题。甲酸真空烧结工艺可降低对原材料的浸润性要求，提高真空烧结的成品率。但甲酸在反应过程中可能会生产氢离子从而导致对氢敏感的芯片失效。通过对常用几种材料的管壳经过不同工艺方法烧结后内部氢气含量的对比，研究甲酸真空烧结工艺对封装腔体内部氢气含量的影响。结果表明，甲酸真空烧结工艺不会引起封装腔体内部氢气含量升高，该工艺可应用于对氢敏感的微波封装器件，不会对器件的长期可靠性产生影响。
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真空烧结工艺对原材料的浸润性要求很高，当原材料浸润性较差时会出现烧结空洞率高等问题。甲酸真空烧结工艺可降低对原材料的浸润性要求，提高真空烧结的成品率。但甲酸在反应过程中可能会生产氢离子从而导致对氢敏感的芯片失效。通过对常用几种材料的管壳经过不同工艺方法烧结后内部氢气含量的对比，研究甲酸真空烧结工艺对封装腔体内部氢气含量的影响。结果表明，甲酸真空烧结工艺不会引起封装腔体内部氢气含量升高，该工艺可应用于对氢敏感的微波封装器件，不会对器件的长期可靠性产生影响。
