一种渗硼剂及电场辅助低温制备单相Fe-2B渗层的方法

作者:邱万奇; 王耀辉; 焦东玲; 钟喜春; 刘仲武
来源:2019-04-02, 中国, CN201910259675.0.

摘要

本发明属于表面强化耐磨渗层技术领域,公开了一种渗硼剂及电场辅助低温制备单相Fe2B渗层的方法。所述渗硼剂由供硼剂B-4C、活化剂KBF-4和填充剂α-Al-2O-3组成,并可添加Ni粉。采用本发明的渗硼剂通过电场辅助低温制备单相Fe2B渗层的方法,渗硼温度在650~850℃仍可得到较厚的单相Fe-2B渗硼层,厚度比直接渗硼大8~10倍,而且为致密单相Fe-2B渗层。电场辅助对渗硼罐内的温度升高很小,只比炉内温度高10~50℃。因渗硼温度显著降低,表层的孔洞和疏松基本消失。渗硼层的韧性得到显著提高。