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摘要
碳化硅MOSFET因其材料的特殊性，适合高压、高频和高功率密度场合。该文设计一种碳化硅MOSFET的驱动电路，通过软件PSpice对碳化硅MOSFET以及碳化硅肖特基二极管的开关特性进行仿真研究，并设计RC缓冲电路解决开关的尖峰震荡问题。搭建硬件实验电路，在Buck电路中针对碳化硅MOSFET和Si IGBT在不同负载和占空比下进行电路效率分析。实验结果表明碳化硅MOSFET开关速度快、开关损耗小以及驱动电阻小。碳化硅肖特基二极管无反向恢复特性，适合高频下工作。RC缓冲电路能有效抑制开关产生的尖峰和震荡，在Buck电路中碳化硅MOSFET比Si IGBT在不同负载和占空比下效率要高。
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