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摘要
本发明涉及一种集成JBS的碳化硅UMOSFET器件,包括N+衬底区、N-外延区、P-阱区、N+注入区、第一P+注入区、第二P+注入区、栅极、源极以及漏极,其中,栅极的深度小于第一P+注入区的深度,第二P+注入区与第一P+注入区间隔设置且深度一致,源极与P-阱区、N+注入区、第一P+注入区、第二P+注入区的界面为欧姆接触,源极与N-外延区的界面为肖特基接触。本发明集成JBS的碳化硅UMOSFET器件,在经过刻蚀形成的较薄的N-外延区表面进行P+注入,使得P+注入区的深度更大,能进一步改善器件的击穿特性。
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