重离子辐照对GaN HEMT器件的影响

作者：张茗川^*; 于庆奎; 奚红杰; 林罡; 钟世昌; 李宇超

来源：固体电子学研究与进展, 2020, 40(05): 389-393.

DOI：10.19623/j.cnki.rpsse.2020.05.013

• GaN
• 单粒子
• 重离子

采用重离子加速器和钽(181Ta)源进行单粒子实验来研究GaN功率器件的单粒子效应,钽离子的线性能量传输(LET)为81.4 MeV·cm2/mg,试验离子注量率为1×105/(cm2·s),累积注量为1×107/cm2。将这一重离子作用在一款输出功率为40 dBm的C波段星载内匹配功率放大器,经试验结果表明,该器件在给定的辐照条件下直流及微波特性未见明显变化。