用于物联网IoT的802.11 bgn频段低噪声放大器

作者：马和良; 陈磊

来源：集成电路应用, 2017, 34(05): 37-39.

DOI：10.19339/j.issn.1674-2583.2017.05.010

• 低噪声放大器
• 射频集成电路
• SiGe BiCMOS工艺

针对物联网IoT的小面积低噪声的需求,相对传统共源共栅结构的低噪声放大器,提出了一种新型低噪声放大器。核心电路没有采用传统的源级电感负反馈的共源共栅结构,通过去除片上电感的方法,节省了77%的芯片面积。芯片采用IBM 0.18μm SiGe BiCMOS工艺设计制造。测试表明,电源电压在2.5 V情况下,在2.4 GHz处能够提供20dB的前向增益,噪声系数为1.8dB,输入和输出匹配都小于-16dB,1dB压缩点为-15dBm,消耗电流为3.6mA,而芯片面积仅为0.45mm×0.5mm。

• 单位
  上海电力学院