科研之友
微信
新浪微博
Facebook
分享链接
摘要
为了解决NAND FLASH存储器数据读写过程中产生误码的问题,提出了一种基于FPGA的NAND FLASH纠错编码方案。方案采用Micron公司的MT29F64G08ABAAA存储芯片并由FPGA控制器控制进行数据存储,每64 Bytes产生18 bits汉明码校验码,将写入FLASH中的汉明码校验码和读取数据时生成的汉明码校验码比较便可确定误码发生的位置,对该数据位进行取反便可对误码进行纠错。测试结果表明,写入和读取8 GBytes数据若不采用纠错编码方案则在高低温和常温下测试均存在误码,采用纠错编码方案在20℃、60℃和-40℃环境温度下测试均无误码,实现了对NAND FLASH纠错的功能,提高了数据存储的准确度和稳定性。
- 单位
