摘要

采用磁控溅射法在玻璃衬底上制备了FTO透明导电薄膜.通过X射线衍射(XRD)、紫外可见光谱(UVvis)、双电测四探针仪和霍尔效应测试系统对薄膜的结构和性能进行了表征.实验结果表明:氧含量的变化能改变FTO薄膜的晶体结构和光电性能,当溅射氩气中通入4%含量的氧气时,可得到性能最佳的金红石相FTO薄膜,所得薄膜可见光透过率高达90%以上,电阻率降至7. 8×10-4Ω·cm.并且,FTO薄膜的吸收限产生蓝移,且蓝移程度随氧含量的改变而有所不同.