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摘要
面向磁性传感器在物联网技术中的广泛应用，该文基于180 nm CMOS工艺设计了一种具有低失调电压，低温度漂移特性的霍尔传感器接口电路。针对霍尔传感器灵敏度的温度漂移特性，该文设计了一种感温电路并与查表法相结合，调节可编程增益放大器(PGA)的增益有效地降低了霍尔传感器的温度系数(TC)。在此基础上，通过在信号主通路中使用相关双采样(CDS)技术，极大程度上消除了霍尔传感器的失调电压。仿真结果表明，在–40℃～125℃温度范围内，霍尔传感器的TC从966.4 ppm/℃减小到了58.1 ppm/℃。信号主通路的流片结果表明，霍尔传感器的失调电压从25 mV左右减小到了4 mV左右，霍尔传感器的非线性误差为0.50%。芯片的总面积为0.69 mm2。
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