IDT/AlN/LiNbO_3结构声表面波滤波器模拟和分析

作者：李健雄; 杨成韬; 王锐; 陈运祥; 张树人

来源：压电与声光, 2008, (06): 655-657.

• 声表面波
• AlN薄膜
• 假声表面波
• 模拟 SAW
• AlN thin film
• pseudo SAW
• modeling

研究了IDT/AlN/LiNbO3结构声表面波滤波器的频散特性,发现了高机电耦合系数(>18%),高声速(>10 km/s)的纵向假声表面波模式。对研究得到的二次模进行了归一化插入损耗频率响应的模拟,其结果与文献报道的实验结果基本一致。

• 单位
  电子薄膜与集成器件国家重点实验室; 电子科技大学