本发明涉及一种GaN器件欧姆接触的改良方法,其特征在于,包括：制备GaN器件,其中,所述GaN器件具有欧姆接触电极；在预设能量、预设剂量、预设温度、预设压强和预设时间下,对所述欧姆接触电极进行质子辐照。本发明实施例通过对GaN器件的欧姆接触电极进行一定程度的质子辐照,减小了欧姆接触电极的电阻,进而减小了有源区的方块电阻和比接触电阻,使得欧姆接触电极上的压降减小,从而增大了异质结沟道区域的压降,因此,质子辐照提升了欧姆接触电极的性能,提升了GaN器件的性能。
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