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摘要
铌酸锂(LiNbO3,LN)是一种广泛使用的介电材料，由于其电光系数大，透明范围大，本征带宽宽，因而在集成和非线性光学器件中极为重要。但绝缘体上铌酸锂薄膜(LNOI)的化学稳定性好，刻蚀速率慢，其微结构参数难以控制。针对以上问题，该文开展了基于电感耦合等离子体刻蚀(ICP-RIE)的LNOI脊形微结构的制备工艺研究，分析了腔室压强、气体总流量及刻蚀功率等参数对刻蚀速率、刻蚀倾角和表面粗糙度(RMS)的影响。研究表明，在优化的工艺条件下，LNOI薄膜的刻蚀速率达到24.9 nm/min,制备出刻蚀深度249 nm、刻蚀倾角76°、表面粗糙度(RMS)0.716 nm的LNOI脊形微结构。该文通过对刻蚀工艺与微观结构参数的研究，建立了基于ICP的LNOI微结构刻蚀方法，为控制LNOI脊形光波导和提升性能提供了工艺支撑。
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