基于噪声矩阵变换的SiGe HBT射频等效噪声建模

作者：曾洪波; 王军^*

来源：固体电子学研究与进展, 2019, 39(04): 250-263.

DOI：10.19623/j.cnki.rpsse.2019.04.004

• 硅锗异质结双极型晶体管
• 小信号等效电路模型
• 噪声建模
• 噪声矩阵变换

由于小信号等效电路模型参数的精确提取是高频噪声建模的基础,利用噪声矩阵的变换,给出了硅锗异质结双极型晶体管(SiGe HBT)小信号等效噪声电路的建模过程,从器件测量的四个噪声参数中提取了电流散粒噪声,验证了小信号等效噪声电路的有效性。

• 单位
  西南科技大学