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摘要
本发明公开了一种基于Si衬底的GaN基射频器件外延结构及其制造方法。该外延结构从下至上由依次层叠的Si衬底、AlN成核层、AlGaN缓冲层、GaN：Fe/GaN高阻层、GaN超晶格层、GaN沟道层、AlGaN势垒层和GaN帽层组成；GaN：Fe/GaN高阻层由故意铁掺杂GaN层和非故意掺杂GaN层交替连接组成；GaN超晶格层由低压/低V/III比GaN层和高压/高V/III比GaN层周期性交替连接组成。本发明外延结构晶体质量高、缓冲层背景载流子浓度低、沟道载流子限域性好、泄漏电流小,制备的器件具有高击穿电压、高电流密度、低关态漏电、以及优良的夹断特性,且高温、高频下性能退化小,制造成本低。
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