在耦合电容器的生产和运行过程中,经常会面临对元件击穿进行分析判别。通过建立元件击穿模型,阐述了元件击穿时耦合电容器的电容变化率、tanδ增量与元件总数n及击穿点电阻的关系;得出了当有k元件击穿时,电容变化率最大约为k/n,tanδ增量最大不会超过k/(2n)的结论。这些结论有助于分析元件击穿时的参数变化,或根据参数变化对元件是否击穿及击穿严重程度进行判别。
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