一种基于二碲化钼/二硫化钼异质结的SiC基光电探测器及其制备方法和应用

作者：曹茗杰; 高伟; 张峰; 李京波

来源：2022-08-29, 中国, CN202211040600.1.

本发明属于紫外-可见-红外光探测技术领域,公开了一种基于二碲化钼/二硫化钼异质结的SiC基光电探测器及其制备方法和应用。该光电探测器的结构为n～+SiC/n～-SiC/MoS-2/MoTe-2异质结/对称电极；是先将MoS-2纳米片和MoTe-2纳米片部分重叠,构建垂直MoS-2/MoTe-2异质结,再将其转移至清洗后的n～+SiC/n～-SiC衬底上,分别在异质结区域外的MoTe-2纳米片与MoS-2纳米片上蒸镀对称电极,保护气氛下在150～250℃退火制得。本发明的SiC基光电探测器具有明显的整流行为,极低的暗电流,并在250～1550nm宽谱波段具有优异的光响应性能,拓宽了SiC基光电探测器的应用范围。

• 单位
  华南师范大学