S频段pHEMT双通道低噪声放大器芯片的设计

作者：徐鑫; 张波; 徐辉; 王毅

来源：微波学报, 2015, 31(01): 83-87.

DOI：10.14183/j.cnki.1005-6122.201501018

• S频段
• 双通道
• 低噪声放大器
• 单刀双掷开关
• 共源共栅场效应管

采用GaAs 0.13μmp HEMT MMIC流片工艺设计和制作了一种S频段双通道低噪声放大器芯片,芯片内部集成了两个低噪声放大器通道、一级单刀双掷(SPDT)开关和一个晶体管-晶体管逻辑(TTL)电平转换电路。低噪声放大器电路采用一级共源共栅场效应管(Cascode FET)结构实现,使其具有比单管更高的增益,简化了芯片拓扑,降低了芯片设计难度。经流片测试,在1.92.1GHz的工作频带内,芯片噪声系数优于1.4dB,增益大于22.5dB,输入驻波优于1.8,输出驻波优于1.4,输出1dB压缩点(P1dB)为10dBm。大量芯片样本在片测试统计数据表明该低噪声放大器成品率大于90%,性能指标优于目前同类商业芯片指标。

• 单位
  中国空间技术研究院