摘要
随着半导体产业的高速发展,尤其近年来集成电路朝着纳米级方向不断进步,使得对衬底硅片表面洁净度要求日益严格。现阶段多采用湿法化学清洗处理硅片表面,过程涉及多步清洗并使用多种高纯试剂,如H2SO4、HNO3、HF、H2O2、NH3·H2O、HCl等。本文通过自研的加标仪配合三重四极杆电感耦合等离子体质谱仪,标准加入法检测复杂基体中痕量元素杂质。样品通过自吸模式稳定引入,经加标仪检测流速,根据预先设定加标程序,系统自动匹配添加量并持续稳定引入标准物质。加标仪的使用一方面消除基体干扰,另一方面避免加标过程因人工操作引入的结果偏差,检测结果满足ng/L级痕量元素杂质检测。