溶液法制备全碳忆阻器

作者:竺臻楠; 胡令祥; 俞家欢; 张洪亮; 梁凌燕; 张莉; 曹鸿涛; 诸葛飞*
来源:材料科学与工程学报, 2020, 38(01): 64-67.
DOI:10.14136/j.cnki.issn1673-2812.2020.01.013

摘要

采用溶液法制备出石墨烯/氧化石墨烯/石墨烯(G/GO/G)全碳忆阻器,并且探究了Ar气氛环境下退火温度对石墨烯电极的影响。研究结果表明,退火处理可以在一定程度上改善石墨烯电极的电学性能。利用优化后的石墨烯电极构筑的G/GO/G全碳忆阻器具有一次写多次读的忆阻特性。