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摘要
研究了烧结助剂BiVO4对(Zn0.65Mg0.35)TiO3(ZMT)陶瓷结构及介电性能的影响。研究结果表明,添加BiVO4可促进晶粒生长,使ZMT材料在较低温度下烧结成瓷,且获得较好的微波介电性能;但添加量不宜过大,过量后烧结过程中形成的液相过多,不能均匀的分散在晶界处,不利于晶粒的充分生长;最佳的BiVO4的质量分数为1.0%,添加后材料可在930℃烧结,相对介电常数rε=20.87,品质因数与频率之积(Q×f)为26 700 GHz(在频率f为15 GHz下测试的数据),谐振器频率温度系数(τf)约为64×10-6/℃,有望实现与银电极共烧。
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单位电子科技大学; 电子薄膜与集成器件国家重点实验室
