4H-SiC深槽刻蚀及其形貌的改善

作者：董志华; 刘辉^*; 曾春红; 张璇; 孙玉华; 崔奇; 程知群; 张宝顺

来源：固体电子学研究与进展, 2022, 42(03): 239-243.

DOI：10.19623/j.cnki.rpsse.20220222.001

• 碳化硅
• 深刻蚀
• 微沟槽
• 侧壁粗糙度

采用磁中性环路放电（NLD）等离子体刻蚀装置对4H-SiC进行深槽刻蚀。研究了偏置电源功率和反应腔室压强对深槽中微沟槽效应和侧壁粗糙度的影响。实验发现：提高偏置电源功率和腔室压强可以消除深槽中的微沟槽效应，并且提高腔室压强还可以改善深槽侧壁的粗糙度。分析了其中的刻蚀机理，实验结果和分析对研究SiC深槽刻蚀具有一定的指导意义。

• 单位
  中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所; 杭州电子科技大学