摘要

使用电晕放电的方式产生臭氧,在多晶硅片镀氮化硅膜前对硅片进行氧化处理,硅片表面生长一层致密的二氧化硅膜。经过这样处理的电池片转换效率不受影响,制作的组件能通过双85环境测试,抗PID性能良好。摘要: