科研之友
微信
新浪微博
Facebook
分享链接
摘要
介绍了一种全新的体硅微机械工艺,可以取代SOI硅片而直接在普通硅片上对不同的侧壁电学导通部分进行绝缘。该工艺在DRIE形成的绝缘深沟内进行SiO2绝缘薄膜填充,并用填充后形成的SiO2条对器件侧壁进行电学绝缘。对于该工艺的原理、可能出现的问题、制作流程的摸索等进行了探讨,并且给出使用该工艺实现的一个带自检驱动功能的加速度计。该加速度计采用压阻原理,器件的压阻敏感电阻部分,通过在侧面进行半导体杂质扩散而形成。
-
单位中国科学院上海微系统与信息技术研究所; 传感技术国家重点实验室; 浙江大学
