fT=11THz的InGaAs零偏工作太赫兹检波二极管

作者：牛斌; 范道雨; 代鲲鹏; 林罡; 王维波; 陈堂胜

来源：固体电子学研究与进展, 2019, 39(06): 479.

DOI：10.19623/j.cnki.rpsse.2019.06.014

<正>南京电子器件研究所突破了T型阳极肖特基接触工艺、低势垒器件钝化保护、大长宽比阳极空气桥制备等关键技术,实现了截止频率fT达11 THz的InGaAs零偏工作太赫兹检波二极管研制,如图1所示。表1列出了不同工艺的太赫兹检波二极管核心参数对比,本文报道的阳极直径1μm的InGaAs SBD势垒高度仅为0.15 V。由零偏结电容及总电容推算的器件截止频率达11.0 THz/7.7 THz。