In0.49Ga0.51P材料有序度对发光特性的影响

作者：刘伟超; 王海珠^*; 王嘉宾; 王曲惠; 范杰; 邹永刚; 马晓辉

来源：发光学报, 2022, 43(06): 862-868.

• 金属有机化学气相沉积
• 铟镓磷/镓砷
• 光致发光
• 故意掺杂

In0.49Ga0.51P材料因与GaAs晶格匹配且具有较宽的能量带隙，在GaAs基短波长激光器和无铝激光器等研究方向上受到了广泛关注。不同领域的应用对In0.49Ga0.51P材料的性能提出了不同的需求，导致In0.49Ga0.51P材料的有序度发生变化，进而导致其发光特性发生改变。本文利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术，在半绝缘的GaAs衬底上开展In0.49Ga0.51P材料有序度对其发光特性影响的研究。通过改变硅烷(SiH4)和二乙基锌(DEZn)掺杂剂的掺杂流量和Ⅴ/Ⅲ比的方法来改变In0.49Ga0.51P材料的有序度。室温光致发光测试(PL)和低温PL测试结果表明，两种掺杂剂掺杂流量增加都会导致In0.49Ga0.51P有序度降低，从而使InGaP的发光波长蓝移。此外，Ⅴ/Ⅲ比增加会导致In0.49Ga0.51P有序度增加，使样品的发光波长红移。

• 单位
  长春理工大学