采用活性金属钎焊技术制备Cu/Si3N4/Cu陶瓷覆铜板,在-65～150 ℃温度条件下经历500次温度循环后,基板无裂纹、翘起、起皮等缺陷。对基板进行微电子组装和可靠性试验,基板与芯片的焊接浸润性较好,焊接强度及长期可靠性满足标准要求。基板粘接元器件后无渗胶现象,且环境组考核合格。在基板上键合4种常用规格的铝丝,键合后和N2环境中热存试验后的键合强度均符合标准要求。研究结果表明,高导热氮化硅覆铜板满足功率器件的高可靠性应用需求。
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