碳化硅器件封装进展综述及展望

作者：杜泽晨; 张一杰; 张文婷; 安运来; 唐新灵; 杜玉杰; 杨霏; 吴军民^*

来源：电子与封装, 2022, 22(05): 14-20.

DOI：10.16257/j.cnki.1681-1070.2022.0502

• Si C
• 低寄生电感
• 混合封装
• 3D封装
• 平面互连
• 双面散热
• 高温封装

碳化硅（Si C）具有禁带宽、临界击穿场强大、热导率高、高压、高温、高频等优点。应用于硅基器件的传统封装方式寄生电感参数较大，难以匹配Si C器件的快速开关特性，同时在高温工况下封装可靠性大幅降低，为充分发挥Si C器件的优势需要改进现有的封装技术。针对上述挑战，对国内外现有的低寄生电感封装方式进行了总结。分析了现有的高温封装技术，结合新能源电力系统的发展趋势，对Si C器件封装技术进行归纳和展望。

• 单位
  全球能源互联网研究院