钝化层刻蚀对厚铝铝须缺陷影响的研究

作者：吴智勇

来源：集成电路应用, 2018, 35(01): 47-50.

DOI：10.19339/j.issn.1674-2583.2018.01.012

• 集成电路制造
• 钝化层刻蚀
• 表面残留
• 铝晶须缺陷
• 开路/短路良率失效

国产中微机台在钝化层刻蚀工艺应用中发现容易导致后续的铝薄膜溅射工艺出现铝须缺陷(Whisker),进而造成产品出现开路/短路良率异常。影响AL whisker的因素很多,主要有两方面:一是由于AL film和上下地间TiN film之间热应力的不匹配容易导致AL whisker,其主要由铝溅射自身工艺能力决定;二是前层表面状况的影响。讨论中微机台刻蚀后的表面残留导致Al溅射后出现铝须缺陷的现象,并对其成因进行系统性分析,同时对其解决方案进行详细的介绍。