扇出型晶圆级封装可靠性问题与思考

作者：范懿锋; 董礼; 张延伟; 王智彬^*; 孟猛^*

来源：电子元件与材料, 2023, 42(05): 505-520.

DOI：10.14106/j.cnki.1001-2028.2023.1730

• 扇出型晶圆级封装
• 先进封装
• 综述
• 可靠性
• 失效物理

半导体先进制程工艺逐步趋于极限，继续沿摩尔定律发展的脚步放缓，而扇出型晶圆级封装(Fan-out Wafer Level Packaging, FOWLP)通过晶圆重构的方式突破了传统扇入封装的I/O引出端的数量限制，并利用多层再布线(Redistribution Layer, RDL)等技术，缩小引脚间距，减薄封装厚度，降低高频信号传输损耗，从而进一步提升芯片集成度。近年来已在消费电子、高性能计算等领域逐渐发展成为具有代表性的先进封装技术，是接续摩尔定律的关键技术。但FOWLP的可靠性问题随着其结构精密和生产流程复杂而日益突出。结合FOWLP近期技术发展和应用的现状，总结了发展趋势；从FOWLP结构的工艺缺陷和失效模式出发，阐述了FOWLP的工艺流程和重点工艺环节；根据不同失效类型，系统归纳了引发失效的物理效应和物理模型；最后，介绍了提升FOWLP结构可靠性的工艺调整和优化设计方法。

• 单位
  中国空间技术研究院