InSb薄膜磁阻效应的厚度依赖性

作者：张豫徽; 宋志勇; 陈平平; 林铁; 田丰; 康亭亭

来源：红外与毫米波学报, 2017, 36(03): 311-315.

• 锑化铟
• 磁阻效应
• 弱反局域化效应
• 界面/表面态

在12300K的温度范围内研究了InSb薄膜(利用MBE生长)的磁阻效应随厚度的变化关系.实验发现厚的InSb薄膜只能产生半经典(∝B2)磁阻效应.而减小薄膜厚度,在薄的InSb薄膜中会更容易出现弱反局域化效应,从而造成在低温下(<35K)出现了一个异常的随温度增加而迁移率降低的趋势.我们发现该弱反局域化效应可用HLN模型拟合,证明了它可能来源于二维(2-D)体系,比如InSb的界面态.

• 单位
  华东师范大学; 上海理工大学; 红外物理国家重点实验室; 中国科学院上海技术物理研究所