尺寸可控的纳米硅的生长模型和实验验证

作者：刘艳松; 陈铠; 乔峰; 黄信凡; 韩培; 高钱波; 马忠元; 李伟; 徐骏; 陈坤基

来源：Acta Physica Sinica, 2006, (10): 5403-5408.

DOI：10.3321/j.issn:1000-3290.2006.10.070

• 非晶硅
• 纳米硅
• 激光辐照
• 结晶 amorphous silicon
• nanocrystalline silicon
• laser irradiation
• crystallization

基于经典热力学理论,对a-SiNx/a-Si:H/a-SiNx三明治结构或a-Si:H/a-SiNx多层膜结构中纳米硅成核,以及从球形到鼓形的生长过程进行了研究.建立了限制性晶化理论模型:在纳米硅生长过程中,由于界面能增大将导致生长停止,给出限制性晶化条件——a-Si:H子层厚度小于34nm.在激光晶化和常规热退火两种方法形成的a-SiNx/nc-Si/a-SiNx三明治结构和nc-Si/a-SiNx多层膜结构中验证了该理论模型.

• 单位
  固体微结构物理国家重点实验室; 南京大学