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摘要
为了提高GZO薄膜性能的稳定性，在溅射温度为室温、气压为0.2 Pa、靶基距为100 mm等工艺条件下，利用直流磁控溅射法在氧化铝基底上沉积超厚型的镓掺杂氧化锌（GZO）薄膜，并探究不同溅射功率对GZO薄膜的表面生长方式、内部晶体取向和光电性能的影响。利用X射线衍射仪、四探针、原子力显微镜等仪器对制备的薄膜进行表征，结果发现随着溅射功率的增大，GZO薄膜晶胞的生长方向由径向生长变为横向生长；薄膜内的晶体结构的衍射峰先增强后降低；薄膜在可见光范围内的平均透光率出现先增大后减小，最后再次增加的趋势。GZO薄膜样品的方块电阻随功率的增加逐渐呈现出下降的趋势，当溅射功率为250 W时，薄膜的方块电阻最低，最低值为18Ω/。当溅射功率为180 W时，薄膜的择优取向衍射峰峰值达到最大，薄膜的晶胞生长饱满并且结晶性能良好，薄膜表面致密性平整；GZO薄膜的平均透光率在可见光波段范围内达到最高并且接近95%，薄膜的方块电阻为34Ω/。
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