高频异质结晶体管直流和交流模型及其验证

作者：高金明; 李垚

来源：电子器件, 2011, (02): 132-136.

• SiGe HBT
• 漂移扩散模型
• 波尔兹曼模型
• 电子温度
• 复合效应
• 速度饱和效应 SiGe HBT
• DDM(Drift Diffusion Mode)
• BTM(Boltzmann Model)
• electron temperature
• recombination effect
• velocity saturation effect

针对漂移扩散方程和能量平衡方程的解建立了SiGe HBT的直流和交流理论模型,综合考虑了速度饱和效应、基区和发射区的禁带变窄效应和复合效应,并与台面型SiGe HBT实验结果进行了比较,截止频率为10.5 GHz,电流增益为45,与理论结果基本符合。

• 单位
  中国科技大学