AlN晶体PVT生长装置的智能控制系统研究

作者：覃佐燕; 庄志贤; 武红磊; 郑瑞生; 王科

来源：人工晶体学报, 2018, 47(04): 770-776.

DOI：10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2018.04.017

• AlN
• PVT
• PLC
• 倒置温场

AlN晶体的物理气相传输(PVT)法生长条件要求苛刻,如0.3~5 atm的高纯氮气生长气氛和2100~2400℃的生长温度。结合AlN晶体PVT生长工艺的特点,通过可编程逻辑控制器(PLC)进行适用于氮化铝(AlN)晶体PVT生长装置的智能控制系统的研究。首先,提出了倒置温场的生长工艺以降低AlN晶体PVT生长的成核数量,并通过自动控制程序设计满足不同生长阶段的温场要求;其次,针对设备可能存在超温、超压及冷却水断流等实验安全问题,设计并实现系统的自动化报警及自处理操作;最后,在实验操作上,实现AlN晶体生长的"一键式"全自动化工作。

• 单位
  深圳市统先科技股份有限公司; 深圳大学