SOT-MRAM单元结构的改进及其低功耗写电路设计

作者：颜思岑; 袁磊; 王少昊; 黄继伟

来源：中国集成电路, 2021, 30(12): 20-25.

• 自旋轨道扭矩-磁随机存储器(SOT-MRAM)
• 磁隧道结
• 低功耗
• 自终止

本文提出了在典型2T1MTJ自旋轨道扭矩-磁随机存储器(SOT-MRAM)阵列的源极线上增加平衡晶体管的新结构,有效解决对一个存储单元进行同时读写操作时读、写电流不对称的问题。该方案还与自终止写电路设计相结合,进一步降低了SOT-MRAM整体功耗。仿真结果表明,与典型SOT-MRAM写电路方案相比,本文的方案有效降低了77.35%的写入功耗。