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摘要
集成电路特征尺寸的逐渐缩小带来了日益严峻的Cu互连线电迁移可靠性问题。为了改善40 nm和55 nm制程下Cu互连线的抗电迁移能力,基于加速寿命试验与失效分析的方法,研究了蓄水池结构对Cu互连线电迁移寿命的影响。研究结果表明,采用蓄水池配置方式的蓄水池结构,通过对通孔底部附近的空洞起着补充作用而在一定范围内提高了Cu互连线的电迁移寿命,改善了试验样品的双模对数正态失效分布现象,提高了试验样品电迁移寿命的一致性。此外,蓄水池结构的补充效果在蓄水池结构的长度达到一个临界值时效果最佳。以上研究结果对于Cu制程电迁移可靠性的改善具有一定的参考价值。
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