摘要

基于迭代变电荷方法,用分子动力学模拟了SiC中的晶界薄膜.从原子尺度上模拟了不同的晶界薄膜的结构.观察到了晶粒与晶界薄膜间的电荷转移并且晶界薄膜的厚度与电荷转移有关.该结果提供了晶界存在空间电荷的直接证据,并证明静电作用与晶界薄膜的平衡厚度密切相关.