TFT-IGZO工艺制程中TFT特性研究与改善

作者：赵辉; 华涛; 王艳昌

来源：光电子技术, 2023, 43(02): 173-176.

DOI：10.19453/j.cnki.1005-488x.2023.02.011

• 薄膜晶体管
• 铟镓锌氧化物
• 电流电压特性曲线
• 二氧化硅薄膜
• 显示不良

分析了IGZO-TFT器件的基本特性及电性不稳定性影响因素。对有源保护层薄膜性能与TFT电学特性的依存关系给出了合理解释，并通过实验验证优化了有源保护层制备手法，解决了因有源保护层SiO2致密性引起的TFT开关阈值电压左向偏移显示不良问题；同时还基于IGZO-TFT总结了PECVD SiO2薄膜特性与沉积各重要因素间的关系。