一种SiC基二硫化钨紫外-可见光电探测器及其制备方法和应用

作者：李京波; 张帅; 高伟; 张峰; 岳倩; 郑涛

来源：2021-03-08, 中国, ZL202110251934.2.

本发明属于紫外-可见探测技术领域,公开了一种SiC基二硫化钨紫外-可见光电探测器及其制备方法和应用。该探测器的结构为背电极/n～+SiC(360μm)/n～-SiC(11μm)/对称电极/WS-2纳米片；所述探测器先在SiO-2/Si衬底上通过机械剥离制备微米尺寸的不规则WS-2纳米片；再通过PVA干法转移工艺,将WS-2转移至已通过光刻蒸镀工艺沉积对称电极的SiC衬底上,最后将附有WS-2/PVA膜的SiC衬底放入50～60℃去离子水或二甲基亚砜中加热使PVA膜溶解；保护气氛中在100～250℃退火获得。本发明提高了WS-2探测器的性能,促进了SiC基二维材料功能器件的应用发展,有利于商业化推广。

• 单位
  华南师范大学