基片表面朝向对ZnO纳米线生长机理的影响

作者：唐斌; 邓宏; 张强; 税正伟

来源：电子科技大学学报, 2009, (01): 134-136+147.

• 汽-液-固(V-L-S)机理
• 汽-固(V-S)机理
• ZnO纳米线
• ZnO薄膜 V-L-S mechanism
• V-S mechanism
• ZnO nanowires
• ZnO thin films

采用热蒸发ZnO粉末法,以金膜为催化剂,在两片表面分别朝上和朝下的Si(100)基片上生长ZnO纳米线(样品分别标为1#和2#)。X射线衍射(XRD)图谱上只存在ZnO的(002)衍射峰,说明ZnO纳米线沿(001)择优取向。通过扫描电子显微镜(SEM)表征发现,ZnO纳米线整齐排列在Si基片上,直径在100nm左右,平均长度为4μm。通过分析得出,两种基片上生长的ZnO纳米线的生长机理是不相同的:1#样品,在基片表面上先生长ZnO薄膜,再在薄膜上生长ZnO纳米线;2#样品,ZnO纳米线直接外延生长在基片表面。结果显示基片表面的朝向影响ZnO纳米线的生长机理。

• 单位
  电子科技大学; 电子薄膜与集成器件国家重点实验室; 西南石油大学