CMP工艺对Co/Cu去除速率及速率选择比的影响研究

作者：季军; 何平^*; 潘**; 王辰伟; 张文倩; 杜义琛

来源：微电子学, 2018, 48(05): 699-704.

DOI：10.13911/j.cnki.1004-3365.170534

• 钴
• 铜
• 化学机械抛光工艺
• 正交试验
• 去除速率
• 速率选择比

化学机械抛光(CMP)工艺中,选用了固定的抛光液组分,即3%体积百分比的FA/O型螯合剂、3%体积百分比的FA/O I型非离子表面活性剂、5% SiO2。首先研究了不同抛光工艺参数,包括抛光压力、抛光头/抛光盘转速、抛光液流量等,对Co/Cu去除速率及选择比的作用机理。然后采用4因素、3水平的正交试验方法对抛光工艺进行优化实验,得到了较佳的工艺参数。在抛光压力为13.79kPa、抛光头/抛光盘转速为87/93r/min、抛光液流速为300mL/min的条件下,Co/Cu的去除速率选择比为3.26,Co和Cu的粗糙度分别为2.01、1.64nm。

• 单位
  电子信息工程学院; 河北工业大学