耐高温压阻力敏硅芯片及静电键合工艺

作者：赵立波; 赵玉龙; 热合曼·艾比布力; 方续东; 李建波; 李勇; 蒋庄德

来源：北京理工大学学报, 2011, (10): 1162-1167.

DOI：10.15918/j.tbit1001-0645.2011.10.008

• 耐高温
• 压阻力敏硅芯片
• 硅隔离
• 静电键合
• 倒杯式 high-temperature
• piezoresistive pressure sensitive silicon chip
• silicon on insulator
• electrostatic bonding
• inverted-cup

采用微型机械电子系统(MEMS)技术制作出了平膜型硅隔离(SOI)耐高温压阻力敏硅芯片,采用静电键合工艺将该力敏硅芯片封装在硼硅玻璃环上,制作出倒杯式弹性敏感单元.分析了静电键合时力敏硅芯片与玻璃环的对准偏差对力敏硅芯片非线性的影响;实验验证了静电键合工艺对硅芯片温度性能的影响以及制作的耐高温压力传感器的性能.结果表明,对准偏差对硅芯片的非线性有较大影响;静电键合工艺对硅芯片的零位时漂和热零点漂移影响较小;制作的耐高温压力传感器具有优良的性能指标,能满足实际的工程应用需求.

• 单位
  摩擦学国家重点实验室; 新疆交通职业技术学院; 西安交通大学机械制造系统工程国家重点实验室; 机电工程学院; 清华大学