808nm准连续600W高功率半导体激光芯片研制

作者：王贞福; 李特; 杨国文; 宋云菲

来源：中国激光, 2017, 44(06): 43-48.

• 激光光学
• 半导体激光芯片
• 峰值功率
• 光损耗
• 寿命

通过设计极低损耗808nm半导体激光芯片外延结构,实现腔内损耗小于0.5cm-1。采用该高效率外延结构研制出高峰值功率808nm巴条芯片,巴条的填充因子为85%,包含60个发光点,发光区宽度为140μm,腔长为2mm。在驱动电流为500A,脉冲宽度为200μs,重复频率为400 Hz,占空比为8%的工作条件下,该芯片的准连续(QCW)峰值输出功率为613 W,斜率效率达1.34 W/A,峰值波长为807.46nm,光谱半峰全宽为2.88nm。任意选取5只芯片,在准连续300 W(占空比8%)条件下进行了寿命验证,芯片寿命达到3.63×109 shot,定功率300W下电流变化小于10%,达到商业化水平。

• 单位
  中国科学院西安光学精密机械研究所; 西安立芯光电科技有限公司; 瞬态光学与光子技术国家重点实验室