具有选择性前表面场的p型背结太阳电池

作者：李得银; 马岩青; 石惠君; 杨超; 王冬冬; 陈丹

来源：微纳电子技术, 2022, 59(11): 1119-1125.

DOI：10.13250/j.cnki.wndz.2022.11.002

• 背结太阳电池
• 隧穿氧化物钝化接触(TOPCon)
• 原位掺杂
• 选择性前场
• 纳米硼浆

隧穿氧化物钝化接触(TOPCon)结构由掺杂多晶硅及隧穿氧化层构成，具有出色的钝化及接触特性。将n型TOPCon太阳电池制备理念应用到p型硅片中，利用背面原位掺杂磷多晶硅层充当pn结，并利用印刷纳米硼浆的方法完成选择性前表面场(FSF)的制备。这种具有选择性前表面场的p型背结电池的优势是背面TOPCon发射极的全面积金属接触避免了发射极内的横向电流传输损耗，有助于空穴(主要载流子)向前端的局部前表面场传输，另外正面选择性前表面场的设计形成高低结，极大地减小了表面复合及金属栅线接触电阻。结果表明，相比同结构的n型TOPCon太阳电池，此种结构的p型背结太阳电池光电转换效率高0.34%,填充因子约高1%,说明该结构的背结太阳电池具有一定的电性能优越性和发展潜力。

• 单位
  青海黄河上游水电开发有限责任公司